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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR将彻底改变这一局面。这颗美光出品的1Tb大容量并行NAND闪存芯片，能为您提供海量、高速且稳定的数据仓库，让您的设备轻松应对固件存储、日志记录、媒体缓存等繁重任务，系统响应从此快人一步。

它基于成熟的闪存技术，拥有128G x 8的存储架构，配合167MHz的时钟频率和并联接口，确保数据读写高效流畅。2.7V至3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，更让它能在各种复杂环境下稳定工作，极大提升了您终端产品的可靠性与适应性。选择它，就是为您的产品选择了一颗经久耐用的强大核心。

• 型号:MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。