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它采用可靠的WFBGA封装和便捷的卷带（TR）包装，让您的生产线集成变得轻松高效。无论是智能手机、平板还是便携式物联网设备，选择这颗有源且成熟的芯片，意味着您选择了一个经过市场验证的高性能解决方案，它能稳定工作在各类严苛环境下，是您打造下一代明星产品的坚实基石。

• 型号:MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。