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还在寻找能瞬间提升系统数据吞吐能力的关键组件吗？MT49H16M36BM-33:B正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，拥有16M x 36的宽位架构和高达300MHz的运行频率，能为您的高速设备提供充沛的数据带宽，让大数据量的并行读写变得轻松而高效。

它采用先进的144-TFBGA封装，节省宝贵空间的同时，其1.7V至1.9V的低电压供电和宽温工作特性，更能让您轻松设计出功耗更低、适应性更强的产品。无论是加速网络通信、强化工业控制还是优化图形处理，它都能成为您系统中可靠的数据加速引擎，显著提升整体响应速度与运行稳定性。

• 型号:MT49H16M36BM-33:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-33:B，Micron（美光）产品一站式供应商。