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还在寻找一颗能兼顾速度、可靠性与宽温适应性的核心存储芯片吗？MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存，能以高达95ns的访问速度响应您的系统，让关键代码和数据的读取瞬间完成，极大提升设备响应效率。

它为您提供16M x 8或8M x 16的灵活组织方式，并拥有60ns的快速写入周期。其2.7V~3.6V的宽电压支持和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，让您的产品设计更加游刃有余，轻松应对各种严苛环境挑战。选择它，就是为您的系统选择了一个高效、稳定、耐用的数据存储核心。

• 型号:MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:95 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7x9）
• MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。