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还在为嵌入式系统寻找一颗“心脏”般可靠的存储芯片吗？MT29F1G08ABCHC-ET:C TR就是您答案。这颗美光出品的1Gb并行NAND闪存，能为您提供高达128M x 8位的稳定非易失存储空间，让您的设备数据在断电后依然完好无损。

它采用先进的63-VFBGA小型化封装和表面贴装技术，帮助您轻松实现紧凑的电路板设计。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围和1.7V~1.95V的低电压特性，更能让您的产品从容应对工业、车载等严苛环境，确保系统长时间高效、稳定运行，是您延续经典项目、保障供应链安全的智慧之选。

• 型号:MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G08ABCHC-ET:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。