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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找解决方案吗？MT46V32M16CY-5B AAT:J就是您的高效答案。这颗512Mb DDR SDRAM芯片，能以200MHz的高速时钟频率和仅700ps的快速访问时间，让您的系统数据处理能力飞跃提升，轻松应对实时、多任务的应用需求。

它不仅能为您提供高达32M x 16的宽广存储空间，其2.3V至2.7V的低电压供电和宽广的-40°C~105°C工作温度范围，更确保了在苛刻环境下的卓越功耗表现与坚如磐石的稳定性。无论是工业控制还是汽车电子，选择它，就是为您的产品选择了高效、可靠的核心内存伙伴。

• 型号:MT46V32M16CY-5B AAT:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V32M16CY-5B AAT:J，Micron（美光）产品一站式供应商。