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您正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的8Gb并行NAND闪存，专为应对严苛环境而设计，其宽电压工作范围与-40°C至105°C的极宽温工作能力，让您的设备无论面临何种挑战，都能保持数据存储的稳定与高效。

它采用紧凑的63-VFBGA封装，能帮助您轻松优化电路板布局，节省宝贵空间。无论是汽车导航系统的高速数据读写，还是工业设备的持续可靠记录，这颗芯片都能出色完成任务，让您的产品性能表现更加卓越。

• 型号:MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。