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MT29F256G08CKCABH2-10:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
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MT29F256G08CKCABH2-10:A TR 规格参数

还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗?让MT29F256G08CKCABH2-10:A TR来为您解决!这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片,就像一个高速、海量的数字仓库,能轻松容纳海量程序、媒体文件或系统数据,确保您的设备运行流畅,响应迅捷。

凭借其并联接口和100MHz的时钟频率,它能实现高效的数据并行读写,大幅提升您的系统整体性能。宽电压设计让它在各种供电环境下都能稳定工作,0°C至70°C的工作温度范围则保证了其在多数场景下的可靠性。选择它,就是为您的产品选择了一个值得信赖的高性能存储核心。

  • 制造商产品型号:MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Gb(32G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:100MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:100-TBGA
  • MT29F256G08CKCABH2-10:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F256G08CKCABH2-10:A TR 基本参数:

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