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还在为设备运行不够流畅、功耗居高不下而烦恼吗？MT53E128M32D2DS-046 AAT:A就是您期待的答案。这颗美光出品的4Gb LPDDR4移动内存，以2.133GHz的高频和128M x 32的位宽，为您带来疾速的数据吞吐体验，让应用程序加载、大型文件处理和多任务切换都变得行云流水。

更重要的是，它专为高效能低功耗场景优化。0.6V/1.1V的双电压核心，在爆发强劲性能的同时，能显著降低系统整体能耗，轻松延长您设备的续航时间。其宽广的-40°C~105°C工作温度范围和可靠的200-WFBGA封装，确保您的产品无论是在严苛的工业环境还是日常移动应用中，都能稳定高效运行，助您打造出更具竞争力的终端设备。

• 型号:MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E128M32D2DS-046 AAT:A，Micron（美光）产品一站式供应商。