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还在为系统带宽瓶颈而困扰吗？让MT49H16M36BM-25:B为您带来飞跃。这颗美光576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高频和20ns的极速访问，能轻松驾驭海量数据的实时读写任务，让您的设备响应如闪电般迅捷。

它采用144-TFBGA紧凑封装和1.8V左右低电压供电，在节省空间的同时兼顾能效。其宽温特性（0°C ~ 95°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。无论是加速图形处理、提升网络吞吐还是保障控制系统的实时性，它都能成为您系统中高效、可靠的数据引擎。

• 型号:MT49H16M36BM-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。