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MT47R256M4CF-25E:H 零件图片(仅供参考)

MT47R256M4CF-25E:H
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MT47R256M4CF-25E:H 规格参数

还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗“扛得住”的高速内存芯片吗?MT47R256M4CF-25E:H正是为您而来。这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM,能以高达400MHz的速度与您的处理器协同工作,其快速的访问时间让数据存取行云流水,显著提升系统整体响应效率。

它采用并联接口和256M x 4的配置,为您提供灵活高效的数据通道。宽电压(1.55V~1.9V)和宽温(0°C~85°C)设计,让它能轻松适应各种严苛环境,无论是工厂车间还是通信机房,都能稳定运行。选择它,就是为您的项目选择了一份经典而可靠的性能保障。

  • 型号:MT47R256M4CF-25E:H
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:256M x 4
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.55V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • MT47R256M4CF-25E:H,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT47R256M4CF-25E:H 基本参数:

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