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还在为系统数据带宽不足而发愁吗？MT49H16M18CSJ-25 IT:B就是您的高性能数据引擎。这颗美光出品的288Mb并行DRAM，拥有400MHz的时钟频率和20ns的快速访问时间，能轻松应对实时、高速的数据读写需求，让您的设备运行如飞。

它采用工业级宽温设计（-40°C ~ 85°C）和1.8V左右低电压工作，不仅适应严苛环境，更能帮助您优化系统能效。无论是工业控制、网络通信还是需要可靠缓冲的嵌入式应用，它都能提供稳定、高效的存储支持，让您的产品设计更从容，性能更出众。

• 型号:MT49H16M18CSJ-25 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M18CSJ-25 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。