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您正在寻找一颗能扛重任、运行稳定的核心存储芯片吗？MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR就是您的答案。这颗由美光科技打造的2Gb NAND闪存，采用并联接口，能以出色的速度处理您的海量数据，同时其1.7V~1.95V的低电压设计让系统功耗大幅降低，助您轻松打造更节能、更长效的产品。

它专为严苛环境而生，拥有-40°C至85°C的宽温工作能力，确保在工业、车载等极端条件下数据依然安全可靠。紧凑的63-VFBGA封装为您节省宝贵的电路板空间，让设计更灵活。选择它，就是选择高效、稳定与省心，让您的产品在激烈的市场竞争中拥有坚实的存储基石。

• 型号:MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。