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MT29F128G08CBCEBRT-37B:E 零件图片(仅供参考)

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E
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MT29F128G08CBCEBRT-37B:E 规格参数

还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗?MT29F128G08CBCEBRT-37B:E就是您的理想答案。这颗美光出品的128Gb并行NAND闪存,能为您的高速嵌入式系统提供海量、稳定的数据仓库,让您的应用运行如飞。

它拥有高达267MHz的时钟频率,配合并行接口,能轻松实现快速的数据读写,显著提升系统响应效率。其2.7V~3.6V的宽电压供电和0°C~70°C的工作温度范围,确保了在各种复杂环境下的稳定表现。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子,选择它,就是为您的产品选择了一份经得起考验的存储保障。

  • 制造商产品型号:MT29F128G08CBCEBRT-37B:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PARALLEL 267MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb(16G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F128G08CBCEBRT-37B:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F128G08CBCEBRT-37B:E 基本参数:

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