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还在寻找能让您的设备“大脑”飞速运转的内存解决方案吗？MT40A1G8WE-075E AIT:B TR就是您期待的答案。这颗美光8Gb DDR4 SDRAM芯片，凭借1.33GHz的高时钟频率和并联接口，能为您的高速计算、实时数据处理需求提供强大的带宽支持，轻松应对多任务并行处理，显著提升系统整体响应速度。

它不仅仅追求速度，更注重稳定与可靠。宽达-40°C至95°C的工作温度范围，让您的产品能够适应从严寒到酷热的各类严苛环境，确保在工业控制、车载系统或户外设备中持续稳定运行。同时，其高效的1.2V供电电压有助于优化系统功耗，让您在享受高性能的同时，也能兼顾能效设计。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、耐用且节能的数据处理核心。

• 型号:MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.33 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-075E AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。