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还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗？MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR就是您的答案。这颗美光出品的128Gb NAND闪存，采用高效的并联接口，能以83MHz的时钟频率高速运作，让您的设备实现快速的数据读写与传输，显著提升整体响应效率。

它能让您的产品轻松应对大数据流的挑战，无论是用于工业控制系统的数据记录，还是作为网络设备的存储模块，都能提供稳定可靠的非易失性存储方案。其宽电压范围（2.7V-3.6V）与商业级工作温度（0°C~70°C）设计，进一步确保了在各种应用场景下的适应性和耐用性，是您构建高性能、高可靠性设备的坚实基石。

• 制造商产品型号：MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：83MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。