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还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M9BM-25:B TR为您开启高效数据流的新篇章。这颗由美光科技出品的288Mb并行DRAM，能以高达400MHz的速度与您的处理器协同工作，20ns的快速访问时间让数据读取写入毫无拖沓，显著提升系统响应速度。

它采用先进的1.8V左右低电压设计，在为您提供强劲性能的同时，有效控制整体功耗，让您的设备运行更节能、更冷静。其宽温特性（0°C ~ 95°C）和可靠的144-TFBGA封装，确保它能在各种严苛环境下稳定服役，是工业控制、网络通信、高端打印等需要大容量、高速缓存应用的理想内存核心。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:MT49H32M9BM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M9BM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。