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还在为系统运行不够流畅而寻找答案吗？让MT46V64M8TG-5B:J来告诉您什么是高效能。这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的高速时钟和仅700ps的极速访问时间，能瞬间响应处理器的每一次数据请求，彻底消除等待延迟，让您的应用程序跑得更快、更顺。

它采用标准的66-TSSOP表面贴装封装和2.5V~2.7V低电压工作，让您能轻松将其集成到各种嵌入式设计中，无论是工业控制、网络通信还是消费电子，它都能提供稳定可靠的高速数据缓存支持，显著提升整机性能。

• 型号:MT46V64M8TG-5B:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-5B:J，Micron（美光）产品一站式供应商。