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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H64M8B6-5E:D TR为您打开高速数据处理的大门！这颗512Mb容量的DDR2 SDRAM芯片，就像为您设备配备的“超速缓存区”，能以200MHz的时钟频率和极高的数据带宽，轻松应对海量信息的实时读写需求。

它采用高效的并联接口和仅1.8V左右的工作电压，在为您带来迅猛性能的同时，也兼顾了能效。无论是运行复杂的应用程序，还是处理连续的数据流，它都能确保响应迅捷、运行稳定。选择它，就是为您的嵌入式系统、网络设备或工业控制核心，选择了一位可靠高效的数据处理伙伴。

• 型号:MT47H64M8B6-5E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8B6-5E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。