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您正在寻找一颗能扛起数据存储重担的核心芯片吗？MT29F2G08ABBEAHC:E TR正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，能为您提供高达256M x 8位的大容量非易失存储空间，让您的设备轻松容纳海量程序代码、用户数据或多媒体文件，彻底告别存储焦虑。

它采用高效的并联接口，数据吞吐流畅迅速。1.7V~1.95V的低电压供电不仅让您的系统设计更节能，其0°C~70°C的宽温工作范围更能确保在各种环境下稳定运行。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，助力产品实现更小巧、更高效的设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT29F2G08ABBEAHC:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F2G08ABBEAHC:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。