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还在寻找能驱动下一代高性能设备的内存核心吗？MT40A1G8WE-083E AIT:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的8Gb DDR4 SDRAM，能以高达1.2GHz的速度处理数据，让您的服务器、网络设备或工业控制系统轻松应对海量信息流，实现极速响应与无缝运行。

它为您带来的不仅是速度。其1.14V至1.26V的低电压供电和宽达-40°C至95°C的工作温度范围，让您的设备在高效节能的同时，也能在严苛环境中稳定可靠。采用78-TFBGA表面贴装封装，易于集成，帮助您快速实现产品设计，抢占市场先机。

• 型号:MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
• MT40A1G8WE-083E AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。