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您正在设计需要高速数据处理的设备吗？MT41K1G8THE-15E:D TR就是您理想的性能助推器。这颗8Gb容量的DDR3L SDRAM芯片，能以高达667MHz的速度运行，同时凭借1.35V标准电压（支持1.283V~1.45V范围）带来出色的能效表现，让您的设备在迅猛处理数据的同时，有效控制功耗。

它采用78-ball FBGA小型化封装，非常适合空间受限的嵌入式应用。无论是用于缓冲海量网络数据、加速图形处理，还是作为工业控制系统的高速内存，它都能让您的设计轻松应对多任务和高负载挑战，实现流畅、高效的系统运行体验。

• 型号:MT41K1G8THE-15E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（10.5x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（10.5x12）
• MT41K1G8THE-15E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。