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还在为系统卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H64M8SH-25E IT:H TR为您带来焕然一新的体验。这颗美光出品的512Mbit DDR2 SDRAM芯片，就像为您设备配备的“超速记忆大脑”，能以高达400MHz的速度流畅处理数据，让您的应用运行如飞，轻松应对多任务挑战。

它专为要求严苛的场景而生。其宽温特性（-40°C ~ 95°C）让您的设备无惧严寒酷暑，稳定运行于工业、汽车、通信等各类环境。1.8V的低功耗设计，更让您在获得高性能的同时，有效延长设备续航或降低系统散热压力。选择它，就是选择了一份高效与可靠并存的解决方案。

• 型号:MT47H64M8SH-25E IT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8SH-25E IT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。