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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破口吗？MT47H32M16NF-25E:H TR就是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度运行，为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对实时数据处理、高清缓冲等苛刻任务。

它专为严苛环境设计，通过AEC-Q100认证，具备卓越的可靠性与稳定性。1.8V左右的核心工作电压帮助您优化系统能效，而0°C至85°C的宽温支持则让您的设备无惧温度挑战。无论是汽车电子、工业控制还是网络通信，选择它，就是为您的核心系统注入一颗强劲、可靠的心脏。

• 型号:MT47H32M16NF-25E:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16NF-25E:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。