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MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR 零件图片(仅供参考)

MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
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MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR 规格参数

还在为下一代智能设备寻找那颗既能海量存储又能极速响应的核心吗?MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的2Tb并行NAND闪存,就像一个超级高效的数据枢纽,能以高达333MHz的速度并行处理信息,让您的设备在存取大型文件、加载复杂程序或进行实时数据分析时,体验前所未有的流畅与迅捷。

它能让您的设计轻松应对最苛刻的数据密集型任务。无论是构建高性能计算服务器、企业级网络存储,还是开发先进的AI边缘计算设备,其非易失的特性确保数据安全无虞,宽广的工作电压与温度范围则提供了出色的环境适应性。选择它,就是为您的产品注入一颗强大、可靠且经久耐用的数据心脏,让您在激烈的市场竞争中始终保持领先。

  • 制造商产品型号:MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:2Tb(256G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR 基本参数:

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