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当您的设计需要一块坚实可靠的数据存储基石时，MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR能为您做什么？它首先为您提供了一个高达32Gb的海量非易失存储空间，相当于4G x 8的宽广数据仓库，让您轻松容纳复杂的程序代码、大量的用户数据或持续增长的日志文件，无需为存储空间捉襟见肘而烦恼。

更重要的是，它通过高效的并联接口和83MHz的时钟频率，为您构建起一条高速数据通道，显著提升系统在存取大量数据时的响应速度。其宽广的2.7V~3.6V工作电压范围和坚固的100-VBGA封装，确保了在各种供电环境和表面贴装应用中都能稳定工作，极大地增强了您产品的环境适应性与可靠性。选择它，就是为您的系统选择了一份经过市场验证的存储保障。

• 型号:MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。