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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M18CFM-25:B TR为您注入强劲动力！这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率和仅20ns的访问时间，能瞬间响应您的数据读写指令，轻松应对高速数据缓存、实时信号处理等严苛任务，让您的设备运行如飞。

它采用先进的1.8V左右低电压核心供电，在提供卓越性能的同时实现高效节能。其坚固的144-TFBGA封装和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了在各种复杂环境下的长期稳定性和可靠性。无论是工业控制、网络通信还是高端影像处理，选择它，就是为您的核心系统选择了一位值得信赖的“高速数据管家”。

• 型号:MT49H32M18CFM-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18CFM-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。