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还在为设备的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V32M16BN-6:C TR为您打开高效数据处理的大门。这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，采用32M x 16的并行架构，能以高达167MHz的速度运行，配合仅700ps的快速访问时间，让您的系统轻松实现高速数据读写与缓存，显著提升整体响应效率。

它专为要求稳定与性能并重的场景而生。2.3V~2.7V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，确保它在各类嵌入式控制、通信设备及工业应用中都能可靠工作。其60-TFBGA的表面贴装封装，更便于您进行高密度的PCB板设计，帮助您打造更紧凑、更强大的终端产品。

• 型号:MT46V32M16BN-6:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-6:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。