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您是否在寻找一颗能扛住极端温度、快速响应且数据永不丢失的“大脑”存储器？M29F200FB55M3F2 TR正是为此而生。它是一颗2Mb容量的并行NOR闪存，访问速度快至55ns，能让您的系统指令执行和数据读取高效如飞。

这颗芯片的核心价值在于其无与伦比的适应性与可靠性。它能在-40°C到125°C的严酷温度范围内稳定工作，并支持4.5V~5.5V的宽电压供电，轻松应对工业、汽车等复杂环境挑战。无论是存储关键的程序代码还是系统参数，它都能确保数据在断电后依然安全无虞，让您的产品设计根基更为稳固。

• 制造商产品型号：M29F200FB55M3F2 TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2MBIT PARALLEL 44SO
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：2Mb（256K x 8，128K x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：55ns
• 访问时间：55ns
• 电压-供电：4.5V ~ 5.5V
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• M29F200FB55M3F2 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。