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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D 规格参数

还在寻找能同时满足高性能与低功耗需求的移动内存方案吗?MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D就是您的理想答案。这颗美光LPDDR4芯片,以32Gb(512M x 64)的大容量和1866MHz的高频率,为您设备的处理器提供源源不断的数据洪流,轻松应对多任务、高清视频和复杂图形渲染,让用户体验丝滑流畅。

更令人心动的是它的能效表现。1.1V的低工作电压,配合先进的移动LPDDR4技术,在提供强劲性能的同时,大幅降低系统功耗,有效延长电池续航时间。其表面贴装的432-VFBGA封装,节省宝贵空间,让您的产品设计更轻薄、更紧凑。选择它,就是选择了一条让产品性能脱颖而出、同时保持高效节能的捷径。

  • 型号:MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:432-VFBGA(15x15)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:432-VFBGA
  • 供应商器件封装:432-VFBGA(15x15)
  • MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:D 基本参数:

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