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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR就是您的高效答案。这颗由美光科技打造的32Gb并行NAND闪存，拥有4G x 8的组织结构，能为您的大容量数据存储需求提供坚实底座。

它采用132-VBGA封装，适合表面贴装，集成便捷。100MHz的时钟频率配合并联接口，让数据存取流畅迅速，显著提升系统响应效率。2.7V~3.6V的宽电压支持与0°C~70°C的工作温度范围，则让您能轻松应对多样的供电与环境挑战，确保设备在各种场景下稳定运行，是工业控制、网络通信等领域的可靠存储伙伴。

• 型号:MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。