我们为全球各个行业提供Micron（美光） NAND256R3A2BZA6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛重任、反应敏捷的核心存储芯片吗？NAND256R3A2BZA6E就是您的答案。这颗256Mb（32M x 8）的并行NAND闪存，拥有高达50ns的极速访问与写入能力，能让您的嵌入式系统告别数据读写等待，实现流畅高效的数据处理体验。

它采用1.7V~1.95V低电压工作，有效帮助您优化整体系统功耗。其坚固的55-TFBGA表面贴装封装和宽广的-40°C ~ 85°C工业级工作温度范围，确保您的产品即使在最严苛的环境下也能稳定运行，数据存储安全无忧。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或网络设备注入一颗强劲而可靠的数据心脏。

• 制造商产品型号：NAND256R3A2BZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Mb（32M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：55-TFBGA
• NAND256R3A2BZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。