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还在寻找一颗能扛得住复杂环境、为您的核心数据提供安稳‘家’的存储芯片吗？NAND128W3AABN6E正是您理想的答案。这颗128Mb（16M x 8）的NAND闪存，采用成熟的并联接口，能以高达50ns的速度响应您的读写指令，让系统运行流畅高效。

它专为严苛环境而生，宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）支持，让您的设备无论身处何地都能稳定工作。无论是存储固件程序、记录关键日志，还是作为数据缓冲区，它都能以可靠的性能，让您彻底告别数据丢失的烦恼，专注于产品功能的创新与优化。

• 型号:NAND128W3AABN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• NAND128W3AABN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。