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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？让MT47H32M16BN-37E:D TR为您带来改变！这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM，就像一个高效的数据中转站，能以高达267MHz的速度处理信息，访问延迟低至惊人的500ps。这意味着它能轻松应对实时数据读写、高速缓冲等任务，显著提升您设备的响应速度与多任务处理能力。

它采用1.8V左右低电压运行和紧凑的84球FBGA封装，不仅帮助您有效管理系统功耗与散热，更能节省电路板空间，让您的产品设计更轻薄、更高效。无论是升级现有设备还是开发新产品，选择它，就是选择了一份来自原厂的品质保证与稳定性能，让您的创意畅行无阻。

• 型号:MT47H32M16BN-37E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（10x12.5）
• MT47H32M16BN-37E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。