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您正在寻找一颗能扛重任、性能出色的核心存储芯片吗？MT29F4G08ABADAH4-AITX:D正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，拥有512M x 8的存储结构，能为您的高速处理器提供稳定流畅的数据吞吐支持，轻松应对大量程序代码、用户数据或日志文件的存储需求。

它采用并联接口，确保高效的数据读写效率。宽电压（2.7V~3.6V）设计与宽广的工作温度范围（-40°C ~ 85°C），让它能在各种严苛环境下稳定运行，极大提升了您终端产品的适应性和可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲可靠的“数据心脏”，让您的设计脱颖而出。

• 型号:MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABADAH4-AITX:D，Micron（美光）产品一站式供应商。