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它不仅仅追求速度，更懂得如何“精打细算”。宽电压（1.14V~1.95V）设计让您能更灵活地优化系统功耗，显著延长电池续航。同时，其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 85°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，可靠性毋庸置疑。无论是智能工业手持终端、车载导航还是便携医疗设备，它都能轻松胜任，成为您产品体内强劲而可靠的“记忆中枢”。

• 型号:EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:64M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-VFBGA
• 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
• EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。