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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT47H128M8SH-25E AIT:M为您带来改变。这颗美光出品的1Gb DDR2 SDRAM芯片，就像为您的高速运算核心配备了一个反应迅捷、容量充裕的“工作记忆库”。它能以高达400MHz的速度并行处理数据，访问延迟低至400ps，让您的嵌入式应用、工业控制器或网络设备轻松实现数据的瞬时读写与流畅交换。

更令人安心的是它的适应力。1.8V左右的核心电压有助于控制整体能耗，而其坚固的设计允许它在-40°C至95°C的极端温度下稳定工作。这意味着无论您的设备部署在何种环境，它都能提供持续、可靠的数据缓存支持，有效提升系统整体响应速度和运行效率，是构建稳健高性能系统的基石之选。

• 型号:MT47H128M8SH-25E AIT:M
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M8SH-25E AIT:M，Micron（美光）产品一站式供应商。