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MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR 零件图片(仅供参考)

MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR
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MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR 规格参数

还在为设备的数据存储能力发愁吗?MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片,能为您提供一个高速、海量且非易失的数据家园。其并联接口和267MHz的高时钟频率,让数据的读写如行云流水,极大提升了您整机系统的响应速度和处理效率。

它能让您轻松应对需要大量数据暂存与快速交换的复杂场景,无论是缓冲高清视频流,还是承载庞大的应用程序库,都游刃有余。宽电压设计和工业级温度范围,进一步确保了它在各种环境下的稳定表现,让您的产品设计更加灵活可靠。选择它,就是选择了一个让产品性能脱颖而出的强大基石。

  • 制造商产品型号:MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:128Gb(16G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F128G08CBCEBJ4-37:E TR 基本参数:

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