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MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR
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MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR 规格参数

还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗?MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR就是您期待的突破性解决方案。这颗美光LPDDR4芯片能为您做什么?它凭借高达2133MHz的时钟频率和16Gb(512M x 32)的大容量,为您的高速计算设备注入澎湃动力,让数据处理如行云流水般高效。

它能让您的智能手机或平板电脑轻松驾驭多任务处理与高清影音娱乐,显著缩短应用加载时间,提升整体用户体验。其1.1V的低电压设计和移动优化的架构,在提供强大带宽的同时,有效控制功耗,帮助您延长设备的续航时间。选择它,就是选择了一种可靠、高性能且能效出众的内存核心,让您的产品设计在竞争中脱颖而出。

  • 型号:MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb
  • 存储器组织:512M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR 基本参数:

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