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它凭借333MHz的时钟频率和仅450ps的快速访问时间，能轻松驾驭并行数据流的高速读写需求。1.7V~1.9V的低电压运行，在保证高效能的同时为您节省功耗。其紧凑的84-TFBGA表面贴装封装，更能帮助您优化电路板设计，节省空间。选择它，就是为您的工业控制、嵌入式或网络应用选择一个经久耐用、性能出色的核心伙伴。

• 型号:MT47H64M16HR-3 IT:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16HR-3 IT:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。