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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“老兵”吗？MT29F8G16ADBDAH4:D就是您答案。这颗美光出品的8Gb并行NAND闪存，如同一位经验丰富的伙伴，能为您的高速设备提供稳定、大容量的非易失存储空间。其512M x 16的并行接口结构，让批量数据存取变得高效流畅，轻松应对工业控制、网络设备等场景下的实时数据记录需求。

它采用1.7V~1.95V低电压运行，在保证性能的同时有效控制功耗，配合0°C~70°C的宽温工作范围，确保您的产品在各种环境下都能可靠持久地工作。紧凑的63-VFBGA封装更让您能高效利用板卡空间，优化整体设计。选择它，就是为您的成熟产品线注入一份经久考验的稳定与安心。

• 型号:MT29F8G16ADBDAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F8G16ADBDAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。