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您正在寻找一颗能显著提升系统数据吞吐能力的存储芯片吗？MT46V32M16BN-75:C TR正是您的理想之选。这颗512Mb DDR SDRAM芯片，采用32M x 16的并行架构，能以高达133MHz的时钟频率高效运作，让您的设备轻松处理大量并行数据任务，瞬间响应指令，彻底告别数据瓶颈。

其750ps的极快访问时间和15ns的写周期时间，确保了数据写入与读取的高速与流畅。工作在2.3V~2.7V的电压下，它能帮助您优化系统功耗，同时其0°C至70°C的工业级工作温度范围，保障了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的嵌入式系统、网络设备或工业控制应用注入一颗强劲可靠的“数据引擎”。

• 型号:MT46V32M16BN-75:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-75:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。