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更重要的是，它深知能效的重要性。其1.283V~1.45V的低电压供电特性，让您在享受高速性能的同时，显著降低系统整体功耗，轻松延长电池续航或减少散热设计压力。无论是嵌入到 demanding 的工业控制器、密集型的网络设备，还是追求轻薄长续航的消费电子产品中，它都能让您的设计在性能与能效的平衡木上稳健前行，脱颖而出。

• 型号:MT41K256M16TW-093:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K256M16TW-093:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。