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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT41J64M16JT-125:G TR为您注入强劲动力！这颗美光科技的1Gb DDR3 SDRAM芯片，凭借800MHz的高时钟频率和并联接口，能大幅提升您设备的数据处理速度，让高清视频流、复杂算法运算和多任务切换变得行云流水般顺畅。

它采用先进的96-TFBGA封装，节省宝贵空间，易于表面贴装集成。宽电压（1.425V~1.575V）与宽温（0°C~95°C）支持，确保了它在各种应用环境中都能稳定可靠地工作。无论是升级现有产品还是开发新项目，选择它，就是选择了一个久经考验的高性能存储解决方案，让您的设计轻松应对数据挑战，高效释放系统潜能。

• 型号:MT41J64M16JT-125:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41J64M16JT-125:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。