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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb（64Gx8）大容量NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，能以高达333MHz的时钟频率极速响应，让您的系统实现海量数据的瞬间存取与流畅处理。

它为您带来的，是前所未有的高效与稳定。宽达2.5V至3.6V的供电电压范围，结合0°C至70°C的宽温工作能力，让您的产品能够轻松适应从消费电子到工业控制的各种复杂环境。其表面贴装型132-VBGA封装，更为您的PCB设计提供了高集成度的可靠选择。选择它，就是为您的核心设备选择了一个强大、耐用且值得信赖的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。