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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29E256G08CECCBH6-6:C TR就是为您准备的答案。这颗来自美光科技的256Gb NAND闪存芯片，采用先进的并联接口，能以高达167MHz的时钟频率迅猛工作，让您的系统实现高速数据读写，彻底告别等待。

它能在2.7V至3.6V的电压下稳定运行，适应性强，并拥有0°C至70°C的宽温工作范围，确保在各种环境下可靠存储您的关键数据。无论是用于加速程序加载，还是作为海量日志、媒体文件的安身之所，它都能让您的设计更高效、性能更出众。

• 型号:MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29E256G08CECCBH6-6:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。