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您是否渴望为您的移动计算或嵌入式系统找到一颗既强劲又“冷静”的内存核心？MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR正是这样一款专为高性能、低功耗场景而生的8Gb移动LPDDR SDRAM。它能为您提供高达200MHz的数据处理速度与仅5ns的极速访问时间，确保您应用中的数据流如行云流水般顺畅，彻底告别卡顿与延迟。

这颗芯片能让您的设计轻松驾驭从高清多媒体处理到复杂实时控制的各种任务。其1.7V~1.95V的低电压运行特性，显著降低了系统整体功耗，帮助您打造续航更持久的终端产品。同时，宽广的工作温度范围（-40°C ~ 85°C）和紧凑的168-VFBGA封装，让您的设备无论在严苛的工业环境还是空间受限的消费电子产品中，都能保持高效稳定的运行。选择它，就是为您的产品选择了一个可靠、高效的动力基石。

• 型号:MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-VFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-VFBGA
• 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
• MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。