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MT47H256M8THN-25E:M TR 零件图片(仅供参考)

MT47H256M8THN-25E:M TR
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MT47H256M8THN-25E:M TR 规格参数

还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗强劲、可靠的数据引擎吗?MT47H256M8THN-25E:M TR正是您的高效答案。这颗由美光科技打造的2Gb DDR2 SDRAM芯片,能以高达400MHz的速度处理数据,让您的设备实现快速响应与流畅运行。

它采用经典的并行接口与256M x 8的配置,为您提供稳定的大容量数据暂存空间。1.8V的工作电压有助于降低系统整体功耗,而0°C至85°C的宽温范围则确保了它在各种苛刻环境下都能稳定工作。选择它,就是为您的设计注入一份经久耐用的可靠性。

  • 型号:MT47H256M8THN-25E:M TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:256M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-TFBGA
  • 供应商器件封装:63-FBGA(8x10)
  • MT47H256M8THN-25E:M TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT47H256M8THN-25E:M TR 基本参数:

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