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还在为嵌入式系统寻找一颗稳定可靠的“数据心脏”吗？MT47H64M8CF-25E IT:G TR正是您理想的解决方案。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，采用成熟的64M x 8并行架构，以400MHz的时钟频率和仅400ps的访问时间，为您的高速数据处理需求提供强劲支持，让您的系统运行如飞。

它专为严苛环境而生，支持-40°C到95°C的极端工作温度，并采用1.8V左右低电压供电和表面贴装设计，确保在工业控制、通信设备等应用中保持超高稳定性和能效。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠性与高效性能，让您轻松应对复杂应用挑战。

• 型号:MT47H64M8CF-25E IT:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8CF-25E IT:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。