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它采用先进的1.1V低电压设计，在提供强大带宽的同时，显著降低了功耗，直接为您的终端产品延长宝贵的电池续航时间。其坚固的200-VFBGA封装和宽温工作特性（-40°C ~ 95°C），更能确保在各种环境下稳定运行，让您轻松应对从消费电子到工业应用的多样化挑战，打造出更可靠、更具竞争力的产品。

• 型号:MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 24GBIT 1.6GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:24Gb
• 存储器组织:768M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。